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回收全志芯片收購(gòu)?fù)繠GA
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| 發(fā)布時(shí)間：
2021/3/21 16:58:00 |
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電 話： |
86-0181-24701558 |
| 傳 真： |
86-- |
| 手 機(jī)： |
18124701558 |
| 郵 編： |
518000 |
| 地 址： |
福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路賽格科技工業(yè)園2棟10層1-6軸58 |
| 網(wǎng) 址： |
http://temokeji.cn.vooec.com |
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| 公司名稱：深圳市遠(yuǎn)華信達(dá)科技有限公司 |
| 聯(lián) 系 人：李令 先生 采購(gòu) |
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回收全志芯片收購(gòu)?fù)繠GA 詳細(xì)說明 |
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回收全志芯片收購(gòu)?fù)繠GA V-181-24-70-15-58 NOR和NAND是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。
在1984年，東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器（此處簡(jiǎn)稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點(diǎn)是NVM，其記錄速度也非�？臁�
Intel是世界上個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司。1988年，公司推出了一款256K bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里，Intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為NOR閃存。它結(jié)合EPROM和EEPROM兩項(xiàng)技術(shù)，并擁有一個(gè)SRAM接口。
種閃存稱為NAND閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是NOR閃存的理想替代者。NAND閃存的寫周期比NOR閃存短90%，它的保存與刪除處理的速度也相對(duì)較快。NAND的存儲(chǔ)單元只有NOR的一半，在更小的存儲(chǔ)空間中NAND獲得了更好的性能。鑒于NAND出色的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲(chǔ)卡上。
NAND 閃存的存儲(chǔ)單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)單元的讀寫是以頁和塊為單位來進(jìn)行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲(chǔ)存塊， NAND 的存儲(chǔ)塊大小為 8 到 32KB ），這種結(jié)構(gòu)大的點(diǎn)在于容量可以做得很大，超過 512MB 容量的 NAND 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， NAND 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
NAND 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的 I/O 端口只有 8 個(gè)，比 NOR 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè) I/O 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 NOR 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 NAND 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲(chǔ)控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，可靠性較 NOR 閃存要差。
本產(chǎn)品網(wǎng)址：http://btsbem.com/cpshow_222905171/
手機(jī)版網(wǎng)址：http://m.vooec.com/product_222905171.html
產(chǎn)品名稱：回收全志芯片收購(gòu)?fù)繠GA |
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