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半導(dǎo)體器件iv曲線測試儀
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| 發(fā)布時(shí)間：
2024/12/12 13:41:00 |
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電 話： |
86-027-87993690 |
| 傳 真： |
86-- |
| 手 機(jī)： |
18140663476 |
| 郵 編： |
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| 地 址： |
東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷大道308號(hào)光谷動(dòng)力節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)園8棟2樓 |
| 網(wǎng) 址： |
http://whpssins.cn.vooec.com |
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| 公司名稱：武漢普賽斯儀表有限公司 |
| 聯(lián) 系 人：陶女士 女士 市場專員 |
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半導(dǎo)體器件iv曲線測試儀 詳細(xì)說明 |
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半導(dǎo)體分立器件是指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等，具有整流、放大、開關(guān)、檢波，穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，衡量晶體管性能好壞主要是通過I-V測試或C-V測試來提取晶體管的基本特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。
半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測試是對(duì)待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過多測試臺(tái)的空間。而且使用單一功能的測試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的不確定度及更慢的總線傳輸速度等缺點(diǎn)。
實(shí)施特性參數(shù)分析的~佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、率先國產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品，集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體�？勺鳛楠�(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器，波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表（SMU）可為高�？蒲泄ぷ髡�、器件測試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測量所需的工具。不論使用者對(duì)源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉，都能簡單而迅速地得到精確的結(jié)果。半導(dǎo)體器件iv曲線測試儀就找普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；
普賽斯源表輕松實(shí)現(xiàn)二極管特性參數(shù)分析
二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)щ娦栽骷�，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)，只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電二極管等，具有安全可靠等特性，廣泛應(yīng)用于整流、穩(wěn)壓、保護(hù)等電路中，是電子工程上用途~廣泛的電子元器件之一。IV特性是表征半導(dǎo)體二極管PN結(jié)制備性能的主要參數(shù)之一，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性等；
普賽斯S系列、P系列源表簡化場效應(yīng)MOS管I-V特性分析
MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件，可以廣泛應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路當(dāng)中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS等。
三極管符號(hào).png
普賽斯數(shù)字源表快速、準(zhǔn)確進(jìn)行三極管BJT特性分析
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。設(shè)計(jì)電路中常常會(huì)關(guān)注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極~大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。
MOS管剖面圖.png
普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）在半導(dǎo)體IV特性測試方面擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，為半導(dǎo)體分立器件電性能參數(shù)測試提供全面的解決方案，包括二極管、MOS管、BJT、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等。此外，普賽斯儀表還提供適當(dāng)?shù)碾娎|輔件和測試夾具，實(shí)現(xiàn)安全、精確和可靠的測試。欲了解更多半導(dǎo)體器件iv曲線測試儀的信息，歡迎隨時(shí)來電咨詢普賽斯儀表！詳詢一八一四零六六三四七六；
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產(chǎn)品名稱：半導(dǎo)體器件iv曲線測試儀 |
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