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| 發(fā)布時(shí)間： |
2024/12/9 16:20:00 |
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紅外光譜未知異物分析 詳細(xì)說(shuō)明 |
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未知異物分析主要針對(duì)較難辨別異物類型的情況下進(jìn)行的綜合分析，主要是結(jié)合了有機(jī)異物分析及無(wú)機(jī)異物分析的方法。其分析手段主要有以下幾種：
分析手段 典型應(yīng)用 分析特點(diǎn) 參考標(biāo)準(zhǔn)
紅外光譜FTIR 有機(jī)物定性；有機(jī)污染物分析 能進(jìn)行微區(qū)分析，其顯微鏡測(cè)量孔徑可到8μm或更小，可方便地根據(jù)需要選擇樣品不同部分進(jìn)行分析 GB/T 6040-2002
掃描電子顯微鏡&X射線能譜SEM/EDS 表面微觀形貌觀察；微米級(jí)尺寸量測(cè)；微區(qū)成分分析；污染物分析 能快速的對(duì)各種試樣的微區(qū)內(nèi)Be~U的大部分元素進(jìn)行定性、定量分析，分析時(shí)間短 JY/T 010-1996
GB/T 17359-2012
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀TOF-SIMS 有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的表面微量分析；表面離子成像；深度剖面分析 優(yōu)異的摻雜劑和雜質(zhì)檢測(cè)靈敏度可以檢測(cè)到ppm或更低的濃度；深度剖析具有良好的檢測(cè)限制和深度辨析率；小面積分析 ASTM E1078-2009
ASTM E1504-2011
ASTM E1829-2009
動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜D-SIMS 產(chǎn)品表面微小的異物分析；氧化膜厚度分析；摻雜元素的含量測(cè)定 分析區(qū)域小，能分析≥10μm直徑的異物成分；分析深度淺，可測(cè)量≥1nm樣品；檢出限高，一般是ppm-ppb級(jí)別 ASTM E1078-2009
ASTM E1504-2011
ASTM E1829-2009
俄歇電子能譜AES 缺陷分析；顆粒分析；深度剖面分析；薄膜成分分析 可以作表面微區(qū)分析，并且可以從熒光屏上直接獲得俄歇元素像 GB/T 26533-2011
X射線光電子能譜XPS 有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料、污點(diǎn)、殘留物的表面分析；表面成分及化學(xué)狀態(tài)信息；深度剖面分析 分析層薄，分析元素廣，可以分析樣品表面1-12nm的元素和元素含量 GB/T 30704-2014
本產(chǎn)品網(wǎng)址：http://btsbem.com/sjshow_507801194/
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產(chǎn)品名稱：紅外光譜未知異物分析 |
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電 話： |
86-0512-68436032 |
| 傳 真： |
86-- |
| 手 機(jī)： |
18551299949 |
| 地 址： |
蘇州高新區(qū)通安鎮(zhèn)華圩路73號(hào)2號(hào)樓3層 |
| 網(wǎng) 址： |
http://szsttcert.cn.vooec.com |
| 郵 編： |
215000 |
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