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| 您現(xiàn)在的位置： 青島晨立電子有限公司 > 供應信息> 第四代半導體工藝設備 氧化鎵退火爐 |
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| 發(fā)布時間： |
2024/10/22 15:18:00 |
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用途：
新型的寬禁帶半導體材料,氧化鎵（Ga2O3）由于自身的優(yōu)異性能,憑借其比第三代半導體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測、高頻功率器件等領域吸引了越來越多的關注和研究。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。
青島晨立生產(chǎn)的氧化鎵退火爐主要適用于科研單位、高等院校、研究機構及企業(yè)。主要用于2-6英寸氧化鎵的退火等工藝使用。
青島晨立電子有限公司成立于2009年，是半導體設備、真空設備生產(chǎn)、研發(fā)、銷售廠家。為客戶提供先進材料熱處理、高精度電加熱設備及系統(tǒng)集成等全套解決方案。
主要產(chǎn)品：晶圓真空退火爐、晶圓真空合金爐、半導體材料氧化爐、真空共晶爐、封裝外殼燒結爐、非晶材料磁場退火爐、高精度智能溫度控制系統(tǒng)和替代進口的擴散爐加熱器等，同時承接各種微電子生產(chǎn)線，進口半導體專用設備的翻新升級改造及各大專院�？蒲性核姆菢搜邪l(fā)定制工作。
本產(chǎn)品網(wǎng)址：http://btsbem.com/sjshow_507808775/
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產(chǎn)品名稱：第四代半導體工藝設備 氧化鎵退火爐 |
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